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Samsung MZ-V8P2T0BW disque SSD M.2 2000 Go PCI Express 4.0 V-NAND MLC NVMe
Produit original
Ref. MZ-V8P2T0BW
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Prix dégressif selon quantitéSamsung MZ-V8P2T0BW, 2000 Go, M.2, 7000 Mo/s
Spécifications
Spécifications
Produits complémentaires pour SAMSUNG - Ref. MZ-V8P2T0BW
Samsung MZ-V8P2T0BW. Capacité du Solid State Drive (SSD): 2000 Go, Facteur de forme SSD: M.2, Vitesse de lecture: 7000 Mo/s, Vitesse d'écriture: 5100 Mo/s, composant pour: PC/ordinateur portable
Spécifications Techniques- Vitesse de lecture
- 7000 Mo/s
- Largeur
- 80,2 mm
- Interface
- PCI Express 4.0
- Capacité du SSD
- 2000 Go
- Facteur de forme SSD
- M.2
- Poids
- 9 g
- Profondeur
- 2,38 mm
- Hauteur
- 22,1 mm
- Type d'emballage
- Boîte
- composant pour
- PC/ordinateur portable
- Température maximale de fonctionnement
- 70 °C
- NVMe
- Oui
- Vitesse d'écriture
- 5100 Mo/s
- Flux de données d'interface PCI Express
- x4
- Lecture aléatoire (4KB)
- 1000000 IOPS
- Temps moyen entre pannes
- 1500000 h
- Écriture aléatoire (4KB)
- 1000000 IOPS
- Tension de fonctionnement
- 3,3 V
- Support S.M.A.R.T.
- Oui
- Support TRIM
- Oui
- Le chiffrement matériel
- Oui
- Version NVMe
- 1.3c
- Température d'opération
- 0 - 70 °C
- Choc durant le fonctionnement
- 1500 G
- Algorithme de sécurité soutenu
- 256-bit AES
- Type de mémoire
- V-NAND MLC
- Consommation d'énergie (mode veille)
- 0,035 W
- Consommation d'énergie (moyenne)
- 6,1 W
- Consommation (max)
- 7,2 W
| Poids et dimensions | |
|---|---|
| Largeur | 80,2 mm |
| Profondeur | 2,38 mm |
| Hauteur | 22,1 mm |
| Poids | 9 g |
| Puissance | |
| Tension de fonctionnement | 3,3 V |
| Consommation (max) | 7,2 W |
| Consommation d'énergie (moyenne) | 6,1 W |
| Consommation d'énergie (mode veille) | 0,035 W |
| Conditions environnementales | |
| Température d'opération | 0 - 70 °C |
| Température maximale de fonctionnement | 70 °C |
| Choc durant le fonctionnement | 1500 G |
| Informations sur l'emballage | |
| Type d'emballage | Boîte |
| Caractéristiques | |
| Facteur de forme SSD | M.2 |
| Capacité du SSD | 2000 Go |
| Interface | PCI Express 4.0 |
| Type de mémoire | V-NAND MLC |
| NVMe |  |
| composant pour | PC/ordinateur portable |
| Le chiffrement matériel | |
| Version NVMe | 1.3c |
| Algorithme de sécurité soutenu | 256-bit AES |
| Vitesse de lecture | 7000 Mo/s |
| Vitesse d'écriture | 5100 Mo/s |
| Lecture aléatoire (4KB) | 1000000 IOPS |
| Écriture aléatoire (4KB) | 1000000 IOPS |
| Flux de données d'interface PCI Express | x4 |
| Support S.M.A.R.T. | |
| Support TRIM | |
| Temps moyen entre pannes | 1500000 h |
Samsung MZ-V8P2T0BW, 2000 Go, M.2, 7000 Mo/s