hewlett-packard-enterprise-p09102-b21-disque-ssd-2-5-1600-go-sas-mlc-1.jpg

Hewlett Packard Enterprise P09102-B21 disque SSD 2.5" 1600 Go SAS MLC

hewlett-packard-enterprise-p09102-b21-disque-ssd-2-5-1600-go-sas-mlc-1.jpg
  • hewlett-packard-enterprise-p09102-b21-disque-ssd-2-5-1600-go-sas-mlc-1.jpg
Produit original
Ref. P09102-B21

Ce produit est en fin de série et n'est plus distribué par le constructeur, mais nous pouvons faire une recherche afin de vous donner un prix et un délai.

Contactez-nous
Hewlett Packard Enterprise P09102-B21, 1600 Go, 2.5", 1095 Mo/s, 12 Gbit/s
Spécifications
Hewlett Packard Enterprise P09102-B21. Capacité du Solid State Drive (SSD): 1600 Go, Facteur de forme SSD: 2.5", Vitesse de lecture: 1095 Mo/s, Vitesse d'écriture: 1045 Mo/s, Taux de transfert des données: 12 Gbit/s, composant pour: Serveur/Station de travail
Spécifications Techniques
Vitesse de lecture
1095 Mo/s
Interface
SAS
Capacité du SSD
1600 Go
Facteur de forme SSD
2.5"
Taux de transfert des données
12 Gbit/s
Hauteur
15 mm
composant pour
Serveur/Station de travail
Ecriture maximum (4 Ko)
125000 IOPS
Lecture maximum (4 Ko)
210000 IOPS
Vitesse d'écriture
1045 Mo/s
Lecture aléatoire (4KB)
130000 IOPS
Écriture aléatoire (4KB)
120000 IOPS
Consommation électrique (Lecture)
5,37 W
Consommation électrique (Ecriture)
8,88 W
Latence en lecture
100 µs
Latence en écriture
33 µs
Température d'opération
0 - 60 °C
Type de mémoire
MLC
Consommation (max)
8,88 W
Poids et dimensions
Hauteur 15 mm
Puissance
Consommation électrique (Lecture) 5,37 W
Consommation électrique (Ecriture) 8,88 W
Consommation (max) 8,88 W
Conditions environnementales
Température d'opération 0 - 60 °C
Caractéristiques
Facteur de forme SSD 2.5"
Capacité du SSD 1600 Go
Interface SAS
Type de mémoire MLC
composant pour Serveur/Station de travail
Vitesse de lecture 1095 Mo/s
Vitesse d'écriture 1045 Mo/s
Taux de transfert des données 12 Gbit/s
Lecture maximum (4 Ko) 210000 IOPS
Ecriture maximum (4 Ko) 125000 IOPS
Lecture aléatoire (4KB) 130000 IOPS
Écriture aléatoire (4KB) 120000 IOPS
Latence en lecture 100 µs
Latence en écriture 33 µs