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Hewlett Packard Enterprise P04519-B21 disque SSD 2.5" 1920 Go SAS MLC
Ce produit est en fin de série et n'est plus distribué par le constructeur, mais nous pouvons faire une recherche afin de vous donner un prix et un délai.
Contactez-nousHewlett Packard Enterprise P04519-B21, 1920 Go, 2.5", 1075 Mo/s, 12 Gbit/s
Spécifications
Spécifications
Produits complémentaires pour HP ENTERPRISE - Ref. P04519-B21
Hewlett Packard Enterprise P04519-B21. Capacité du Solid State Drive (SSD): 1920 Go, Facteur de forme SSD: 2.5", Vitesse de lecture: 1075 Mo/s, Vitesse d'écriture: 1030 Mo/s, Taux de transfert des données: 12 Gbit/s, composant pour: Serveur/Station de travail
Spécifications Techniques
- Vitesse de lecture
- 1075 Mo/s
- Interface
- SAS
- Capacité du SSD
- 1920 Go
- Facteur de forme SSD
- 2.5"
- Taux de transfert des données
- 12 Gbit/s
- Hauteur
- 15 mm
- composant pour
- Serveur/Station de travail
- Ecriture maximum (4 Ko)
- 54000 IOPS
- Lecture maximum (4 Ko)
- 165000 IOPS
- Vitesse d'écriture
- 1030 Mo/s
- Lecture aléatoire (4KB)
- 109000 IOPS
- Écriture aléatoire (4KB)
- 54000 IOPS
- Consommation électrique (Lecture)
- 6,98 W
- Consommation électrique (Ecriture)
- 6,98 W
- Latence en lecture
- 135 µs
- Latence en écriture
- 35 µs
- Température d'opération
- 0 - 60 °C
- Type de mémoire
- MLC
- Consommation (max)
- 8,98 W
Poids et dimensions | |
---|---|
Hauteur | 15 mm |
Puissance | |
Consommation électrique (Lecture) | 6,98 W |
Consommation électrique (Ecriture) | 6,98 W |
Consommation (max) | 8,98 W |
Conditions environnementales | |
Température d'opération | 0 - 60 °C |
Caractéristiques | |
Facteur de forme SSD | 2.5" |
Capacité du SSD | 1920 Go |
Interface | SAS |
Type de mémoire | MLC |
composant pour | Serveur/Station de travail |
Vitesse de lecture | 1075 Mo/s |
Vitesse d'écriture | 1030 Mo/s |
Taux de transfert des données | 12 Gbit/s |
Lecture maximum (4 Ko) | 165000 IOPS |
Ecriture maximum (4 Ko) | 54000 IOPS |
Lecture aléatoire (4KB) | 109000 IOPS |
Écriture aléatoire (4KB) | 54000 IOPS |
Latence en lecture | 135 µs |
Latence en écriture | 35 µs |