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Kingston Technology ValueRAM KVR26S19S6/4 module de mémoire 4 Go 1 x DDR4 2666 MHz
Kingston Technology ValueRAM KVR26S19S6/4, 4 Go, 1 x 4 Go, DDR4, 2666 MHz, 260-pin SO-DIMM
Spécifications
Spécifications
Kingston Technology ValueRAM KVR26S19S6/4. composant pour: Ordinateur portable, Mémoire interne: 4 Go, Disposition de la mémoire (modules x dimensions): 1 x 4 Go, Type de mémoire interne: DDR4, Fréquence de la mémoire: 2666 MHz, Support de mémoire: 260-pin SO-DIMM, Latence CAS: 19
Spécifications Techniques
- Mémoire interne
- 4 Go
- Largeur
- 69,6 mm
- Profondeur
- 2,45 mm
- Hauteur
- 30 mm
- Type de mémoire interne
- DDR4
- Fréquence de la mémoire
- 2666 MHz
- Support de mémoire
- 260-pin SO-DIMM
- Certificats de durabilité
- RoHS
- composant pour
- Ordinateur portable
- Ne contient pas
- Halogène
- Code du système harmonisé
- 84733020
- Type de mémoire mise en cache
- Unregistered (unbuffered)
- Latence CAS
- 19
- Niveau de mémoire
- 1
- Temps du cycle de la ligne (TRC)
- 45,75 ns
- Refresh row cycle time (TRFC)
- 350 ns
- Rayon de temps actif
- 32 ns
- Tension de programmation (VPP)
- 2,5 V
- Température hors fonctionnement
- -55 - 100 °C
- Mémoire de tension
- 1.2 V
- Pays d'origine
- Taïwan
- Température d'opération
- 0 - 85 °C
- Disposition de la mémoire (modules x dimensions)
- 1 x 4 Go
- ECC
- Non
Ce produit Kingston Technology ValueRAM KVR26S19S6/4 module de mémoire 4 Go 1 x DDR4 2666 MHz est compatible avec les produits et références ci-dessous :
Poids et dimensions | |
---|---|
Largeur | 69,6 mm |
Profondeur | 2,45 mm |
Hauteur | 30 mm |
Conditions environnementales | |
Température d'opération | 0 - 85 °C |
Température hors fonctionnement | -55 - 100 °C |
Caractéristiques | |
Mémoire interne | 4 Go |
Disposition de la mémoire (modules x dimensions) | 1 x 4 Go |
Type de mémoire interne | DDR4 |
Fréquence de la mémoire | 2666 MHz |
composant pour | Ordinateur portable |
Support de mémoire | 260-pin SO-DIMM |
ECC | |
Type de mémoire mise en cache | Unregistered (unbuffered) |
Latence CAS | 19 |
Niveau de mémoire | 1 |
Mémoire de tension | 1.2 V |
Temps du cycle de la ligne (TRC) | 45,75 ns |
Refresh row cycle time (TRFC) | 350 ns |
Rayon de temps actif | 32 ns |
Tension de programmation (VPP) | 2,5 V |
Pays d'origine | Taïwan |
Données logistiques | |
Code du système harmonisé | 84733020 |
Durabilité | |
Certificats de durabilité | RoHS |
Ne contient pas | Halogène |